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　　《现代半导体集成电路》全面介绍了现代半导体集成电路的基础知识、分析与设计方法。以下是由阳光网小编整理关于半导体集成电路的课后答案，希望大家喜欢!

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　　导体集成电路目录章节

　　一，集成电路的基本制造工艺

　　二，集成电路中的晶体管及其寄生效应

　　三，集成电路中的无源元件

　　四，晶体管-晶体管逻辑电路

　　五，发射极耦合逻辑电路

　　六，集成注入逻辑电路

　　七，MOS反相器

　　八，MOS基本逻辑单元

　　九，MOS逻辑功能部件

　　十，存储器

　　十一，接口电路

　　十二，模拟集成电路中的基本单元电路

　　十三，集成运算放大器

　　十四，MOS开关电容电路

　　十五，集成稳压器

　　十六，D/A，A/D变换器

　　十七，集成电路设计概述

　　十八，集成电路的正向设计

　　十九，集成电路的芯片解剖

　　二十，集成电路设计方法

　　二十一，集成电路的可靠性和可测性设计简介

　　二十二，集成电路的计算机辅助设计简介

　　半导体集成电路的基本概念

　　1 电路的关态-指电路的输出管处于截止工作状态时的电路状态，此时在输出端可得到 VO=VOH，电路输出高电平。

　　2 电路的开态-指电路的输出管处于饱和工作状态时的电路状态，此时在输出端可得到 VO=VOL，电路输出低电平。

　　3 电路的电压传输特性-指电路的输出电压VO随输入电压Vi变化而变化的性质或关系(可用曲线表示，与晶体管电压传输特性相似)。

　　4 输出高电平VOH-与非门电路输入端中至少一个接低电平时的输出电平。

　　5 输出低电平VOL-与非门电路输入端全部接高电平时的输出电平。

　　6 开门电平VIHmin-为保证输出为额定低电平时的最小输入高电平(VON)。

　　7 关门电平VILmax-为保证输出为额定高电平时的最大输入低电平(VOFF)。

　　8 逻辑摆幅VL-输出电平的最大变化区间，VL=VOH-VOL。

　　9 过渡区宽度VW-输出不确定区域(非静态区域)宽度，VW=VIHmin-VILmax。

　　10 低电平噪声容限VNML-输入低电平时，所容许的最大噪声电压。其表达式为 VNML=VILmax-VILmin=VILmax- VOL(实用电路)。

　　11高电平噪声容限VNMH-输入高电平时，所容许的最大噪声电压。其表达式为 VNMH=VIHmax-VIHmin=VOH- VIHmin(实用电路)。

　　12 电路的带负载能力(电路的扇出系数)-指在保证电路的正常逻辑功能时，该电路最多可驱动的同类门个数。对门电路来讲，输出有两种稳定状态，即应同时考虑电路开态带负载能力和电路关态带负载能力。

　　13 输入短路电流IIL-指电路被测输入端接地，而其它输入端开路时，流过接地输入端的电流。

　　14 输入漏电流(拉电流，高电平输入电流，输入交叉漏电流)IIH-指电路被测输入端接高电平，而其它输入端接地时，流过接高电平输入端的电流。

　　15 静态功耗-指某稳定状态下消耗的功率，是电源电压与电源电流之乘积。电路有两个稳态，则有导通功耗和截止功耗，电路静态功耗取两者平均值，称为平均静态功耗。

　　16 瞬态延迟时间td-从输入电压Vi上跳到输出电压Vo开始下降的时间间隔。Delay-延迟。

　　17 瞬态下降时间tf-输出电压Vo从高电平VOH下降到低电平VOL的时间间隔。Fall-下降。

　　18 瞬态存储时间ts-从输入电压Vi下跳到输出电压Vo开始上升的时间间隔。Storage-存储。

　　19 瞬态上升时间tr-输出电压Vo从低电平VOL上升到高电平VOH的时间间隔。Rise-上升。

　　20 瞬态导通延迟时间tPHL-(实用电路)从输入电压上升沿中点到输出电压下降沿中点所需要的时间。

　　21 瞬态截止延迟时间tPLH-(实用电路)从输入电压下降沿中点到输出电压上升沿中点所需要的时间。

　　22 平均传输延迟时间tpd-为瞬态导通延迟时间tPHL和瞬态截止延迟时间tPLH的平均值，是讨论电路瞬态的实用参数。

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